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闪存基础知识系列
发表时间:2019-03-10
发表人:领存兵哥
评论数:0
闪存基础知识系列文章详细讲述闪存的基础知识,作者力争抛弃纯粹的理论讲解,结合领存NFA100闪存测试仪,将闪存进行的每一步操作以及操作结果以图文并茂的方式予以呈现。 本系列基础文章适合闪存初学者,文中更多会呈现与理论不同的实测结果以期帮助有经验的开发人员更深入的理解闪存。 期待更多有志于闪存开发、闪存测试系统开发的专业人士加入领存。
目录
1.
闪存读操作(Read)
1.1
读取ID操作(Read ID)
1.1.1
“解扣”,一个修改ID的地下江湖
1.2
读取特定(独一无二的)ID(Read Unique ID)
1.3
读取ONFI参数页操作(Read Parameter page)
1.4
Read Status
1.5
Read Status Enhanced
1.6
Fixed Add Read Status Enhanced
1.7
Read Mode
1.8
Read Page
1.8.1
如何获取每页读取时间,以及多页读取时间汇总
1.8.2
如何实现读取任意页,有条件或者循环读取
1.9
Partial Page Read
1.10
Read Cache Sequential
1.11
Read Cache Random
1.12
Read Cache Last
1.13
Read page Multi-Plane
1.14
Read Retry
1.14.1
Read Retry测试方法
1.15
Read OTP Page
1.16
CopyBack Read
1.17
CopyBack Read Multi-Plane
2.
闪存写操作(Program)
2.1
Program Page
2.2
Program Page Cache
2.3
Program Page Multi-Plane
2.4
Program Suspend
2.5
Program Resume
2.6
Change Write Column
2.7
Copy Back Program
2.8
Copy Back Program Multi-Plane
2.9
One-Time Programable(OTP)
2.9.1
Program OTP Page
2.9.2
Protect OTP Area
2.9.3
Read OTP page
3.
闪存擦除操作(Erase)
3.1
Erase Block
3.2
Erase Block Multi-Plane
3.3
Erase Suspend
3.4
Erase Resume
4.
闪存参数配置(Configration Operation)
4.1
Set Features
4.2
Get Features
4.3
Set/Get Features By Lun
4.4
Volume Select
4.5
ODT Configure
4.6
ZQ Calibration
5.
地址操作
5.1
Change Read Column
5.2
Change Read Column Enhanced
5.3
Change Write Column
5.4
Change Row Address
6.
Multi Plane相关操作
7.
Interleaved die (Multi Plane)操作
8.
闪存错误管理
9.
闪存错误根源及测试方法
10.
数据保持时间(Data Retention)的测试方法
11.
闪存Vth漂移与P/E的关系
12.
闪存误码率的测试方法
13.
ONFI、Toggle、NV-DDR、同步和异步
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