相较于标准的 "Change Read Column" 命令，"Change Read Column Enhanced" 提供了进一步的性能优化或额外的特性，但这取决于具体的NAND Flash设备和控制器能力。这可能包括更快的列切换时间、更高效的内部缓存利用，或特殊的数据传输命令。

如果你的NAND Flash设备支持"Change Read Column Enhanced"，需要查阅具体的设备数据手册以了解命令码和执行该操作所需的准确步骤。通常，这将涉及发送一个特殊的命令以及新列地址，然后从新位置读取数据。

下面是一个非常通用的伪代码示例，旨在说明如何执行这类操作。请注意在实际设备上，需要调用正确的硬件接口函数和使用正确的命令码，这些信息在数据手册中会有详细描述：

#define CHANGE_READ_COLUMN_ENHANCED_COMMAND 0xE0 // 这是一个示例命令码

void change_read_column_enhanced(int column_address) {
    // 发送 Change Read Column Enhanced 命令
    send_nand_command(CHANGE_READ_COLUMN_ENHANCED_COMMAND);

    // 发送新列地址的低位字节
    send_nand_address(column_address & 0xFF);

    // 如果列地址需要更多的字节，则发送高位字节
    // 例如对于 16-bit 地址，需要发送两个字节
    send_nand_address((column_address >> 8) & 0xFF);

    // 根据需要可能要求发送其他字节
    // ...

    // 选择性等待设备准备好数据
    wait_for_device_ready();

    // 从新的列地址开始读取数据
    read_data_from_nand();
}

// 执行 Change Read Column Enhanced 操作
change_read_column_enhanced(desired_column_address);

上面的伪代码需要根据你的具体NAND Flash设备和控制器规格来调整。 这可能包括确切的命令码、地址发送序列、等待设备准备好的处理、以及任何特定的协议要求。特别是在涉及到性能增强特性时，严格遵守数据手册中的时序和操作细节是非常重要的。