1. 错误检测和纠正 (ECC，Error Correction Codes)： NAND Flash控制器通常包含ECC算法，能够在读取数据时检测和纠正一定数量的错误位。常见的ECC算法包括汉明码、BCH码、Reed-Solomon码和LDPC（低密度奇偶校验）码等。LDPC在现代高端闪存中特别常见，因为它在纠错能力方面相对较强。

2. 坏块管理： 当一个块中的错误超出ECC纠正能力时，该块就会被标记为坏块，不再用于数据存储。控制器会将数据迁移到一个好的块中，并在内部坏块表（Bad Block Table）中记录该坏块信息。

3. 磨损平衡（Wear Leveling）： 为了防止某些块过早磨损，控制器会尽量均衡对各个块的写入操作。这种磨损平衡策略有两种：静态磨损平衡和动态磨损平衡。动态磨损平衡主要是用于经常更改的数据，而静态磨损平衡则针对不经常更改的数据块，即使那些数据长时间内没有发生变化，控制器也会周期性地将这些数据移动到不同的位置。

4. 过度擦除和写入限制： NAND Flash单元的擦除和写入次数是有限的，因此，控制器会跟踪每个块的擦写次数，以确保它们在达到预定限度之前已经被正确管理。

5. 读取重试（Read Retry）： 当数据读取错误超出了ECC能力时，控制器有时可以采用不同的读取参数（如电压水平）再尝试读取，这个过程称为读取重试。

6. 数据刷新（Data Refresh）： 如果一个块在较长时间内没有被读取，存储的数据可能由于电荷损失而退化。控制器可能会周期性地读取块的内容，并在必要时利用ECC纠正错误并重新写入以刷新数据。

7. 热数据迁移： 一些控制器会追踪频繁访问的数据块（热数据），并将其迁移到耐用性较高的块中，从而提高系统性能并减少这些块的磨损。

闪存错误管理通常是在闪存控制器固件或者专用的闪存转换层（FTL，Flash Translation Layer）软件中完成的，它抽象了底层NAND Flash的物理细节，为上层提供了一个更加简洁和稳定的接口。在设计和实现闪存系统时，芯片制造商和设备设计者必须考虑到这些策略，以确保产品的长期可靠性。