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随着时间的流失，闪存介质中保存的数据会发生保存错误，如上篇文章《闪存误码产生根源分析》中所述，数据保存（Data Retention）发生错误主要是由两种原因造成：
1. Data Retention的错误原因之一是FG的经时击穿TDDB（time dependent dielectric breakdown ）导致了低场漏电流变的越来越大，漏电流的变大又导致Cell保存阈值电压转移能力的变弱，从而产生Data Retention的出错。
2.Data Retention的另一种原因就是Erase和Program的操作也会导致氧化层收集电荷，这样会影响到cell的阈值电压，当电荷脱井时，阈值漂移，Bit发生反转。
数据保存错误与Program/Erase次数是密切相关的，P/E cycle越多，Data Retention发生错误率就越高，同时，Data Retention也与ECC强度直接相关，即使发生bit翻转仍然可以通过纠错算法将错误纠正回来部分错误，不同强度的ECC对Data Retention有着极其重要的影响。
所以，评估Data Retention必须是基于P/E cycle和ECC的条件下进行，单一条件下回答闪存的Data Retention是不严谨的。严谨来说，应该是在多少次Program/Erase的条件下以及什么样强度的ECC之下，数据可以保存多久。
影响Data Retention的因素包括：
1、 P/E Cycle次数；
2、 ECC强度；
3、 温度环境；
4、 其他（如辐射、光照等）。
如果不考虑第4条特殊环境，Data Retention的评估需要综合其他三方面条件，其中，高温度环境还可以用于加速评估Data Retention。
对于测试部门而言，仅仅评估未经P/E状态下的数据保存是远远不够的，还必须要评估在不同的P/E次数状态下的保存时间才有利于研发人员正确的选择ECC强度以及客观评估数据的保存时间。
将一定次数的P/E cycle划分不同区间，并将测试结果建立基于ECC、P/E次数和误码率的数学模型，作为研发人员综合评估Nand的Data Retention很有必要，例如：MLC 可以评估500次/1000次/1500次/2000次/2500次/2800次/3000次Program/Erase条件下以及在datasheet规定的ECC强度以及高于datasheet规定ECC强度下的保存时间，往往具有更多的实际应用意义。
Nand Flash越接近P/E Cycle临界值，每次P/E对其Data Retention的影响就越大，因此，临近临界值时，P/E cycle区间可以缩小，如：每200次P/E cycle做一次Data Retention的评测。
根据JEDEC的标准，可以用高温环境加速条件下进行测试Nand Flash的Data Retention。
将事先写入Nand的数据重新读取出来（很重要！不用原先写入的数据做对比是因为写入数据过程中可能会出现错误，如果直接用写入的数据进行对比，可能会得出错误的结论），然后另存为独立的文件，随着时间推移或者温度变化，将Nand中写入的数据与独立文件进行对比，看是否有错误发生，在高温条件之下可以加速这种测试。
基础设定：ECC1按datasheet规定设定（如：24bit/1024Byte），另外三组可以用更高强度ECC去评估在哪个ECC区间会有错误出现。
对于全新的Nand Flash而言，无P/E cycle的影响，因此，直接进行参数设定和测量即可。
1、 设定需要测试的Block数量，读取次数以及需要写入的制定Block的pattern（如，一组以456789AB为种子的伪随机数）；
4、 然后设定好时间，如1000小时，即可开始进行Data Retention的验证，如果有错误发生，Nand中的数据与指定的对比文件将不同；
5、 各种ECC条件下的错误会以图形和数据的方式显示如下图；
而评测经过P/E cycle的Nand Flash则需要加入对Nand Flash的P/E cycle测试。
