rBackup（Rapid Backup)提供了一种将数据从DDR快速写入到Nand Flash的技术，与正常掉电保护相比，此项技术的发明是为了应对SSD上钽电容或超级电容随时间推移而老化至无法达到初始设计电量从而无法真正起到断电保护作用而发明的一项技术。

技术背景：

    为了提升SSD性能，目前市面主流的SSD都会采用SDRAM或者DDR做缓存，为了应对异常断电后DDR中数据丢失甚至是映射表丢失等问题，通常SSD厂商会使用钽电容或者超级电容做断电保护，当遭遇异常断电的情况，钽电容或超级电容提供足够的电量供DDR中数据被完全写入Nand Flash，从而保证数据的完整性。

     人们总是解决了一个旧的问题，从而带来一个新的问题。这个看似不错的性能和可靠性兼容的解决方案其实隐藏着巨大的安全隐患。

    钽电容或者超级电容都会随充放电次数的增加或者时间的推移而逐步老化，SSD的厂商保修时间或者使用寿命通常会在3-5年，显然，这个保修时间并未考虑到电容的老化问题，假设，当钽电容因为老化只能提供初始设计电量的50%时，如何可以保证SSD在遭遇异常断电后SDRAM中的所有数据可以有足够的电量写入Nand Flash？如果电量不足，可能会导致如下的严重故障：

1、导致更新中的映射表丢失，从而导致SSD完全失效；

2、导致SDRAM中的数据丢失；

3、如果多次异常断电，可能会导致假性新增坏块快速增加；

这些潜在隐患对SSD的可靠性是严重的安全隐患，在关键的应用领域，可能会导致灾难性事件的发生。

领存rBackup发明技术解决这一安全隐患，利用rBackup技术，可以将DDR写入Nand Flash的所需时间减少50%-70%，《一种异常断电时固态硬盘数据快速备份的方法及系统》的发明专利详细阐述了实现的方法。